Questo libro offre una panoramica sugli studi relativi alle proprietà fisiche, chimiche e luminescenti dei fosfori di ossido del gruppo IV A puri e drogati con terre rare. Gli ossidi presi in considerazione nel presente lavoro sono SiO2 e SnO2. Il SiO2 è noto da tempo come un ospite conveniente per le terre rare ed è stato ampiamente utilizzato per la fabbricazione di laser a stato solido, mentre lo SnO2 è un semiconduttore di tipo n a banda larga con un ampio gap di banda di 2,5-3 eV, che cristallizza nella struttura rutilo (struttura tetragonale). L'SnO2 appartiene a una classe speciale di semiconduttori che hanno band gap diretti ma sono interdetti dal dipolo a causa della loro speciale simmetria della funzione d'onda. Nel presente lavoro, i fosfori di ossido del gruppo IV A (SiO2 e SnO2) sono stati preparati con il metodo sol-gel, ma la forma pura dei nanofosfori del gruppo IV A ha una debole intensità di luminescenza. Essa aumenta di molte volte se si aggiungono elementi delle terre rare, pertanto il drogaggio è stato effettuato con l'aiuto di elementi delle terre rare (Ce3+, Eu3+ e Dy3+). Questi vengono incorporati simultaneamente nelle matrici di silice e stagno mediante processi sol-gel e sono ulteriormente caratterizzati da tecniche di caratterizzazione generale e di luminescenza.