Komplexe anorganische Verbindungen innerhalb der Ag-Ga(In)-Si(Ge)-S(Se)-Systeme bilden eine große Gruppe von Materialien, die Halbleitereigenschaften aufweisen. Diese Materialien sind aufgrund ihrer potenziellen Anwendungen von großem Interesse. Sie sind vielversprechend für die Optoelektronik, Photovoltaik, Sensorik, Telekommunikation und nichtlineare Optik.Es wurden Kristalle des Ag-Ga(In)-Si(Ge)-S(Se)-Systems mit verschiedenen Kationen-Anionen-Zusammensetzungen synthetisiert. Durch die Anwendung einer Reihe von modernen Forschungsmethoden wurde eine Analyse der Zusammensetzung, der optischen, photoelektrischen und nichtlinearen optischen Spektren sowie der elektro- und piezoelektrischen Eigenschaften und ihrer photoinduzierten Veränderungen für die erhaltenen Materialien durchgeführt. Die Monographie stellt die Ergebnisse einer umfassenden experimentellen Studie vor, die in Verbindung mit First-Principles-Berechnungen im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie die optoelektronischen und nichtlinear-optischen Eigenschaften der komplexen Chalkogenidsysteme Ag-Ga(In)-Si(Ge)-S(Se) erhellt.