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�tude d'un MESFET-GaAs hyperfr�quence et application en LNA 10GHz MMIC
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�tude d'un MESFET-GaAs hyperfr�quence et application en LNA 10GHz MMIC in Chattanooga, TN
Current price: $67.00
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Depuis des années, le transistor à effet de champ (MESFET) fait avec l'Arséniure de Gallium (GaAs) se présente comme le composant le plus adapté à des applications d'hyperfréquences et de commutation, ce choix est justifié par de remarquables performances telles que: un faible facteur de bruit (
Depuis des années, le transistor à effet de champ (MESFET) fait avec l'Arséniure de Gallium (GaAs) se présente comme le composant le plus adapté à des applications d'hyperfréquences et de commutation, ce choix est justifié par de remarquables performances telles que: un faible facteur de bruit (
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