W niniejszej pracy zbadaliśmy stabilnośc dynamiczną, wlaściwości strukturalne, elektroniczne i termoelektryczne stopów typu HfxSi1-xO2, stosując metodę liniaryzowanych fal plaskich o calkowitym potencjale (FP-LAPW) w ramach teorii funkcjonalu gęstości (DFT) zaimplementowanej w kodzie Wien2k. Potencjal wymiany i korelacji byl traktowany przy użyciu różnych aproksymacji, takich jak GGA. Uzyskane wyniki elektroniczne wykazaly, że HfSi3O8 ma charakter pólprzewodnika z bezpośrednią przerwą energetyczną równą 3,909 eV, przy użyciu aproksymacji GGA. W przypadku związków HfSiO4 i Hf3SiO8 wyniki badania struktury pasmowej wskazują, że oba związki są pólprzewodnikami z pośrednią przerwą energetyczną o wartościach prognozowanych wynoszących odpowiednio 7,2 eV i 5,2 eV dla HfSiO4 i Hf3SiO8. Uzyskane wlaściwości termoelektryczne i stabilnośc dynamiczna wskazują, że związki te są bardzo sztywne, nieodksztalcalne i silnie uporządkowane.